多晶硅生產廢水是在電子半導體工業及太陽能光伏產業生產過程產生的廢水。多晶硅生產和研磨過程中產生的廢水水量較大、傳統方法處理后出水的有毒有害金屬離子、氟等不能穩定達標，對水資源環境造成的污染日益嚴重。下面詳細說明多晶硅生產廢水處理技術工藝：

電子半導體工業及太陽能光伏產業生產過程中，未回收利用的氯硅烷低沸物和氯化氫、提純分離塔的不凝氣體、還原爐開停爐置換尾氣、各系統檢修時的置換尾氣等工藝廢氣經尾氣淋洗塔淋洗處理產生的酸性廢水，其水量與工藝廢氣的排放量、氯硅烷和氯化氫的濃度有直接關系。為確保處理后的廢氣達標排放，工藝廢氣的排放量或其中的氯硅烷、氯化氫濃度越大，產生的廢水量越大。這部分廢水是多晶硅生產廢水的主要組成部分，一般占多晶硅生產廢水總量的90％以上，其主要污染物為鹽酸和氯硅烷水解產生的Si02等，經人工或機械刮撈后的酸性廢水沿地溝或管道排入廢水站調節池。

1、藥劑配制

(1)石灰乳的配制。石灰乳攪拌槽注入一定容積的回用水，緩慢加入Ca(OH)2含量大于70％的200目石灰粉并不斷攪拌，配制成20％的石灰乳溶液。兩組石灰乳攪拌槽，一套配制一套使用，相互交替運行。

(2)PAC溶液的配制。Al2O3含量>30％、鹽基度>80％的PAC按比例緩慢投加到用回用水定容的PAC溶解配置攪拌槽中，不斷攪拌配制成5％的PAc溶液，打開放液閥，使配制好的PAc溶液進入溶液槽中供處理系統使用，兩組溶液槽一組配制一組使用。

(3)PAM溶液的配制。向PAM配制攪拌槽注入一定量回用水，啟動攪拌機，人工緩緩向槽內投加分子量>l200萬的陽離子高效絮凝劑PAM，充分攪拌使其溶解配制成5‰的PAM溶液，打開放液閥，分別向兩個溶液槽注入一定量的5‰PAM溶液，啟動溶液槽攪拌機，向溶液槽內加回用水并充分攪拌完全溶解配制成0.5‰的藥液，兩組PAM溶液槽，一組使用一組配制，交替運行。在藥劑的配制和使用過程中，為避免藥液沉淀或結膠，要保持攪拌機連續運行。

2、中和

酸性廢水由提升泵輸送至中和槽與石灰乳發生中和反應，由于反應需要一定的時間，控制不好易造成出水pH不能滿足工藝要求。為保證處理系統連續穩定運行，采用兩級中和槽串聯進行中和反應，即酸性廢水自一級中和槽下部進入，通過上部溢流沿管道自二級中和槽下部進入，廢水在中和槽升流過程中與通人中和槽中下部的石灰乳混合，在攪拌作用下快速反應。通過調整兩級中和槽的石灰乳投加量，同時控制兩級中和槽的攪拌速率，使一級中和槽出水pH達到4~5，二級中和槽出水pH達到7~8。

3、混合

混合的實質是混凝荊水解產物在水中的擴散問題，使水中膠體顆粒同時脫穩產生凝聚，為取得好的絮凝效果創造條件，也是節省投藥量的關鍵。本工藝采用管式微渦管道混合器作為混合設備，且PAc溶液在輸送泵前加入，PAM溶液在輸送泵后加入，利用湍流微渦旋和離心慣性效應，實現了PAC、PAM水解產物在廢水中的充分擴散，使廢水中形成的膠體顆粒得到了更好的脫穩。加藥量是根據絮凝沉淀系統出水水質進行調整的，一般控制每立方米廢水投加5％PAC藥液6~10L，投加0.5‰PMC藥液2L。

4、絮凝沉淀

采用集成式廢水凈化器，將直流混凝、微絮凝、重力沉降、離心分離、動態過濾、污泥濃縮等處理技術有機地結合集成在一套設備中。充分地利用混合液在凈化器內慣性效應和湍流剪切力，使廢水沿切線方向高速進入凈化器后在凈化器內部的特殊結構下通過壓縮雙電層、吸附電中和、吸附架橋、沉淀和網捕等作用，快速形成密實的礬花和較大的絮體，在霞力和離心力作用下，密實的礬花和較大的絮體顆粒滑到錐形污泥濃縮區濃縮，廢水沿罐壁向下懸流到一定程度后向中心靠攏，形成向上的懸流繼續上升進入動態過濾區深處理，過濾后的合格廢水自清水管道進入回用池回用或外排。

5、污泥處理

根據集成式廢水凈化器監控取樣情況合理安排排泥周期，將集成式廢水凈化器污泥濃縮區的污泥排到污泥水箱，開啟污泥輸送泵和板框壓濾機處理污泥，污水返回中間水箱再處理，當板框壓濾機不再進水時，停止污泥輸送泵或將污泥導入另一臺板框壓濾機，按板框壓濾機操作程序自動卸渣，濾渣經皮帶輸送機輸送到渣場，定期外運處置。